强强联手!ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色

 新闻中心     |      来源:泰州啜血LED照明作者: 啜血发布时间:2020-08-25 18:17点击次数:

据报道,德国硅基氮化镓专家ALLOS半导体公司宣布,已与沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究团队达成合作,双方将共同开发高效硅基InGaN红色微型发光二极管。

据了解,大的晶格失配和量子受限的斯塔克效应限制了红氮基发光二极管在实际工业应用中的应用,ALLOS和KAUST将在此次合作中致力于解决这些基本问题。

强强联手!ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色Micro LED

图像来源:ALLOS

值得注意的是,在微型发光二极管显示领域,除了蓝色和绿色发光二极管之外,微型发光二极管显示器还对在大尺寸晶片上生长红色发光二极管有着强烈的需求,旨在降低制造复杂性和成本。

据报道,考斯特团队通过采用局部应变补偿和改进的金属有机化学气相沉积反应器设计,在开发直流电压低于2.5V的高效率InGaN基红色微型发光二极管方面取得了一些突破。他们已经在蓝宝石和Ga2O3衬底上生长了红色发光二极管。

强强联手!ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色Micro LED

图片来源:KAUST

为了利用晶圆级工程应变技术(尤其是大规模晶圆)开发潜在的高性能红色发光二极管,KAUST团队和ALLOS共同将研究工作扩展到硅衬底。有了将晶片扩展到300毫米并在硅衬底生产线上加工的能力,双方的合作将加快大规模生产过程。对于微型发光二极管显示器,特别是用于增强现实设备的单片集成微型发光二极管显示器,这将是另一个重要的辅助。

KAUST团队和ALLOS将充分利用各自的专业知识处理应变问题,优化硅基氮化镓和红色发光二极管的晶体生长条件,进而实现硅基氮化镓缓冲层上红色发光二极管叠层的生长。(由莱德内贾尼斯编辑)

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